Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZF360DT-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-PowerPair™
- Seri / Aile Numarası
- SIZF360DT
SIZF360DT-T1-GE3 Hakkında
SIZF360DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source voltaj derecesi ile tasarlanmış bu bileşen, 23A/83A (Ta/Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPair paket formatında sunulan komponentin RDS(on) değeri 1.9mOhm ile 4.5mOhm arasında değişmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu MOSFET, düşük gate charge (22nC-62nC @ 10V) ve düşük input capacitance (1100pF-3150pF @ 15V) özellikleriyle karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. Surface mount montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerPair™ |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PowerPair™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok