Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZF300DT

SIZF300DT-T1-GE3 Hakkında

Vishay SIZF300DT-T1-GE3, 30V Drain-Source gerilimi ile çalışan dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerWDFN 8-pin paketinde sunulan bu bileşen, 23A sürekli drenaj akımı (Ta@25°C) ve 75A (Tc) kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ (10A, 10V) ile 1.84mΩ (10A, 10V) arasında değişen RDS(on) değerleri sayesinde düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. 22nC ve 62nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile üretilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok