Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ998DT
SIZ998DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ998DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilim kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerPair® paketinde sunulan bu bileşen, 20A ile 60A arasında kesintisiz drenaj akımı sağlar. Düşük Rds(on) değerleri (2.8mΩ - 6.7mΩ) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve pil yönetim sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20.2W, 32.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok