Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ998BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ998BDT
SIZ998BDT-T1-GE3 Hakkında
SIZ998BDT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleri içeren bir dizi bileşendir. 30V drain-source voltaj derecesi ile çalışan bu kompakt devre elemanı, 23.7A ile 94.6A arasında sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (RDS(on) 2.4-4.39 mOhm) sayesinde ısı kaybını minimize eder. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok