Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ988DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ988DT

SIZ988DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ988DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilim ve 40A/60A sürekli drain akımı desteği ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, 7.5mΩ ile 4.1mΩ arasında değişen düşük Rds(On) değerleri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 20.2W-40W güç tüketimine sahip bu transistör, anahtarlamalı güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Gate charge özellikleri hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 20.2W, 40W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok