Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ980DT

SIZ980DT-T1-GE3 Hakkında

Vishay SIZ980DT-T1-GE3, 8-PowerPair paketinde sunulan dual N-channel MOSFET transistördür. 30V Vdss derecesinde çalışan bu bileşen, 20A ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Schottky FET teknolojisi ile üretilen komponent, 6mOhm ile 1.6mOhm arasında değişen RDS(on) değerleri sunarak düşük direnç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount tasarımı kompakt devre tasarımlarına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 20W, 66W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok