Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ980BDT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ980BDT
SIZ980BDT-T1-GE3 Hakkında
SIZ980BDT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 23.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Surface Mount paketi (8-PowerWDFN, 6x5mm) sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, mobil cihazlar, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler ve diğer düşük-orta güç uygulamalarında tercih edilir. Schottky FET özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V, 79nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok