Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ926DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ926DT
SIZ926DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ926DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 40A ile 60A arasında sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Surface Mount olarak monte edilen 8-PowerWDFN paketinde sunulan ürün, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklıklarında güvenli bir şekilde çalışır. Düşük RDS(on) değerleri (2.2mOhm @ 8A, 10V) sayesinde güç kaybı minimize edilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 8-PowerPair® paket tasarımı, kompakt PCB düzenlemeleri için uygun çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20.2W, 40W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok