Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ920DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ920DT
SIZ920DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ920DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir MOSFET dizi ürünüdür. 30V drain-source geriliminde 40A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 7.1mΩ (10V, 18.9A) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPair® paket teknolojisi ile iki MOSFET'in yarım köprü (half-bridge) yapılandırması tek entegreli devre üzerinde sunulur. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 8-PowerWDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabilite gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 39W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 18.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok