Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ918DT
SIZ918DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ918DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu komponent, 12mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Half-bridge yapısı sayesinde motor sürücüleri, AC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-PowerWDFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A, 28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 29W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok