Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ916DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ916DT
SIZ916DT-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIZ916DT-T1-GE3, 30V drain-source geriliminde çalışan dual N-Channel MOSFET'tir. Half bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 16A/40A sürekli dren akımı sağlar ve PowerPair paket teknolojisini kullanır. RDS(on) değeri 6.4mΩ (19A, 10V koşullarında) olan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan ve 22.7W-100W güç sınırlamalarına sahip bileşen, DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan SIZ916DT, düşük kapı yükü (26nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A, 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 22.7W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok