Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ914DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ914DT
SIZ914DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ914DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel (Half Bridge) MOSFET dizisidir. 30V Drain to Source voltajında 16A-40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliğiyle düşük gating gerilimi gerektirir ve 6.4mOhm on-state dirençle verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface Mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan komponentin maksimum tüketim gücü 22.7W/100W arasında değişmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A, 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 22.7W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok