Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ910DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ910DT
SIZ910DT-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIZ910DT-T1-GE3, 30V / 40A rated dual N-Channel MOSFET yarım köprü konfigürasyonunda tasarlanmış güç uygulamaları için transistör dizisidir. Logic level gate kontrolü ile düşük sürücü gerilimi gerektiren devrelerde kullanılmaya uygundur. 5.8mΩ (10V, 20A) on-resistance ve 40nC gate charge ile verimliliği artırıcı özellikler sunmaktadır. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, DC/DC konvertörler, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Ürün mühendisliği arşivinde yer alan obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 48W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok