Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ902DT

SIZ902DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ902DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel MOSFET dizisi (Half Bridge konfigürasyonu) olup, 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim sürücülerle uyumludur. 12mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ve 2.2V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-PowerWDFN pakette sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve PWM anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 29W, 66W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok