Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-PowerPair™
- Seri / Aile Numarası
- SIZ900DT
SIZ900DT-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIZ900DT-T1-GE3, 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda üretilen bir güç MOSFET'idir. 30V Drain-Source voltaj derecesi ve 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajları ile çalışabilir. 7.2mOhm (10V, 19.4A'de) on-state direnci ve 45nC gate charge karakteristiği ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Surface Mount 6-PowerPair™ paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A, 28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerPair™ |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 48W, 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PowerPair™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok