Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-PowerPair™
Seri / Aile Numarası
SIZ730DT

SIZ730DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ730DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen logic level gate özelliğine sahip 2N-Channel Half Bridge MOSFET transistörüdür. 30V Drain to Source voltajı ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 9.3mOhm (@ 15A, 10V) on-resistance değeri ile düşük kayıplar sağlar. Surface mount 6-PowerPair™ paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, dc-dc konvertörler ve switched-mode power supply (SMPS) devreleri gibi enerji dönüşüm uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 2.2V gate threshold voltajı hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 35A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerPair™
Part Status Obsolete
Power - Max 27W, 48W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok