Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-PowerPair™
Seri / Aile Numarası
SIZ710DT

SIZ710DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ710DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi ve 16A/35A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim sürücü devrelerle doğrudan kontrolü destekler. 6.8mOhm on-state direnci ve 2.2V eşik gerilimi ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 6-PowerPair™ paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve hız kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 35A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerPair™
Part Status Active
Power - Max 27W, 48W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok