Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-PowerPair™
- Seri / Aile Numarası
- SIZ700DT
SIZ700DT-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIZ700DT-T1-GE3, 2 N-Channel Half Bridge yapısında bir MOSFET dizisidir. 20V Vdss ve 16A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük kapı gerilimi ve 8.6mΩ on-resistance ile karakterizedir. 6-PowerPair™ yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 35nC ve input capacitance 1300pF'dir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, kompakt tasarımlar için uygundur. Not: Bu parça artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerPair™ |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.36W, 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PowerPair™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok