Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ350DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ350DT
SIZ350DT-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIZ350DT-T1-GE3, 30V çalışma voltajına sahip dual N-channel MOSFET transistördür. 18.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 30A (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, düşük gate charge (20.3nC @ 10V) ve düşük RDS(on) değerleri (6.75mOhm @ 15A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan ve 3.7W (Ta) veya 16.7W (Tc) güç kapasitesine sahip SIZ350DT, 8-PowerWDFN (3x3mm) yüzey montaj paketiyle sunulmaktadır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.75mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok