Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ346DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ346DT
SIZ346DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ346DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilim ile çalışan bu transistör, 17A (Tc) ve 30A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-PowerWDFN (3x3) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 28.5mOhm @ 10A, 10V ile 11.5mOhm @ 14.4A, 10V arasında değişen düşük On-Resistance (Rds) özelliği sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Gate charge 5nC ile 9nC arasında, input kapasitesi 325pF ile 650pF arasındadır. DC-DC converterler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V, 650pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 16W, 16.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok