Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ342ADT

SIZ342ADT-T1-GE3 Hakkında

Vishay SIZ342ADT-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistörlü bir dizi entegresidir. 30V Drain-Source gerilimi ve 15.7A sürekli drenaj akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. 9.4mOhm RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. PowerWDFN 8-pin (3x3mm) SMD paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 12.2nC kapı yükü ve 580pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama özellikleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok