Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ328DT

SIZ328DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ328DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 11.1A (Ta) / 25.3A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPair paketlemesi sayesinde yüksek güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 15mΩ (Ta) / 10mΩ (Tc) RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akımlı kâhya devrelerinde tercih edilir. 8-PowerWDFN (3x3) yüzey montaj paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok