Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ322DT
SIZ322DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ322DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 25V drain-source voltajına kadar çalışabilen bu bileşen, 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6.35mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (3x3mm) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme özelliği geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 20.1nC gate charge ve 950pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 12.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 16.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.35mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok