Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ320DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ320DT
SIZ320DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ320DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilim desteği ile 30A (Tc) ve 40A (Tc) sürekli drain akımı sağlayan yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 8.3mOhm ile 4.24mOhm arasında değişen düşük on-state direnci (Rds On), güç kaybını minimize eder. Surface mount 8-PowerWDFN (3x3mm) paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel denetim uygulamalarında kullanım için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 16.7W, 31W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok