Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ300DT

SIZ300DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ300DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir MOSFET dizisidir. 30V drain-source voltajı ve 11A/28A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 24mOhm (10V, 9.8A'de) düşük on-state direnci sayesinde verimli güç iletimini sağlar. 2.4V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS mantık seviyelerine doğrudan uyumluluk sunar. PowerPair® paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu yapı, endüstriyel ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A, 28A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 16.7W, 31W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 9.8A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok