Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ260DT
SIZ260DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ260DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8.9A (Ta) ve 24.7A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 24.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerWDFN 8-pin paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 4.3W (Ta) veya 33W (Tc) maksimum güç dağıtabilir. Gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok