Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ256DT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ256DT
SIZ256DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ256DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 70V drain-source voltaj derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 11.5A sürekli drain akımı (Ta) ve 31.8A (Tc) kapasitesiyle güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında tercih edilir. 17.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli işletme sağlar. Surface Mount 8-PowerWDFN paketi ile PCB tasarımında kompakt çözüm sunar. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta), 31.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 35V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok