Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIZ250DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
SIZ250DT

SIZ250DT-T1-GE3 Hakkında

SIZ250DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj değeriyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 14A (Ta) / 38A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 12.2mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. PowerPair paketleme teknolojisi sayesinde kompakt ve verimli tasarım imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok