Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- SIZ200DT
SIZ200DT-T1-GE3 Hakkında
SIZ200DT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim desteği ile röle, solenoid ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 22A sürekli drain akımı ve düşük on-resistance (5.5mOhm) özellikleri ile güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde etkin bir çözüm sunar. 8-PowerPair (3.3x3.3) yüzey montaj paketine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, LED sürücü ve batarya yönetimi sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok