Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Seri / Aile Numarası
- SISF20DN
SISF20DN-T1-GE3 Hakkında
SISF20DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 14A sürekli dren akımı (Ta) ve 52A (Tc) kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8SCD yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 13mΩ (7A, 10V koşullarında) düşük on-state direnci ve 33nC gate charge özellikleri nedeniyle anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 5.2W (Ta) ve 69.4W (Tc) maksimum güç yönetimi kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok