Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISF06DN-T1-GE3
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Seri / Aile Numarası
- SISF06DN
SISF06DN-T1-GE3 Hakkında
SISF06DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel common drain MOSFET dizisidir. 30V Drain to Source voltaj ile tasarlanmış bu komponent, 28A (Ta) ile 101A (Tc) arasında sürekli drain akımı sağlar. 4.5mOhm maksimum on-direnci ve 2.3V gate threshold voltajı ile düşük güç kayıpları ve yüksek anahtarlama hızı özellikleri barındırır. PowerPAK® 1212-8SCD yüzeye monte paketlemesi ile kompakt devre tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, yük anahtarlaması ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 101A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok