Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Seri / Aile Numarası
- SISF04DN
SISF04DN-T1-GE3 Hakkında
SISF04DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ile tasarlanan bu komponent, 108A (soğutma jükseltmesi ile) kontinü dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8 paket tipi ile yüzey montajına uygundur. 4mΩ ile düşük RDS(on) değerine sahip olup, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 5.2W (ambient) ile 69.4W (junction) güç kapasitesine sahiptir. 60nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 108A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok