Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISF02DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Seri / Aile Numarası
- SISF02DN
SISF02DN-T1-GE3 Hakkında
SISF02DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8SCD yüzey montajlı paket içerisinde iki adet N-channel FET barındırır. 25V drain-source voltaj ile tasarlanmış olan bu bileşen, 30.5A sürekli akım kapasitesine (Ta) veya 60A (Tc) sahiptir. Çok düşük gate charge (56nC @ 10V) ve input capacitance (2650pF @ 10V) değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 3.5mOhm (@ 7A, 10V) RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, power distribution, güç yönetimi ve düşük voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok