Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Seri / Aile Numarası
- SISF00DN
SISF00DN-T1-GE3 Hakkında
SISF00DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK 1212-8SCD yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 30V drain-source geriliminde 60A sürekli dren akımı sağlayabilir. 5mOhm (10A, 10V koşullarında) on-state direnç ve 2.1V eşik gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlanmış güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok