Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SISB46DN
SISB46DN-T1-GE3 Hakkında
SISB46DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source geriliminde 34A sürekli drenaj akımı sağlar. 11.71mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 23W maksimum güç tüketiminde tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri (11nC) ile enerji verimli devreler oluşturur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 23W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.71mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok