Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIS990DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIS990DN
SIS990DN-T1-GE3 Hakkında
SIS990DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen Dual N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 12.1A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan komponent, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreler ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 25W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmış olan komponent, 8nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok