Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIS932EDN
SIS932EDN-T1-GE3 Hakkında
SIS932EDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve maksimum 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Devrede anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve düşük voltaj doğrultma devrelerine uygundur. 22mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlayan bu MOSFET, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) güvenilir performans sunar. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleriyle uydu ve akü yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok