Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIS903DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIS903DN
SIS903DN-T1-GE3 Hakkında
SIS903DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 20.1mΩ (5A, 4.5V) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 42nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, düşük güç anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve bas seviyesi sürücü uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok