Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIS902DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIS902
SIS902DN-T1-GE3 Hakkında
SIS902DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 186mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 38V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 15.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 186mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok