Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIS590DN-T1-GE3
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIS590DN
SIS590DN-T1-GE3 Hakkında
SIS590DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET kombo transistör dizisidir. PowerPAK 1212-8 çift paket yapısında surface mount tasarımı ile elektronik devrelere entegre edilir. 100V drain-source voltaj derecesi ve 2.7A-4A arasında drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 167mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli operasyon sağlar. Motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler, push-pull sürücüler ve genel amaçlı güç anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok