Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIRB40DP
SIRB40DP-T1-GE3 Hakkında
SIRB40DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 40A sürekli akım yeteneğine sahiptir. PowerPAK® SO-8 dual paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 3.25mΩ on-state direnci ve 45nC gate charge özellikleri ile anahtarlama hızını ve verimini etkiler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüksek entegrasyonlu güç yönetimi sistemlerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve diğer güç dağıtım devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 46.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok