Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIR770DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIR770DP
SIR770DP-T1-GE3 Hakkında
SIR770DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajına ve 8A maksimum drain akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate voltajı (2.8V) ile tetiklenebilir. 21mOhm RDS(on) değeri ile düşük on-state direnci sağlar. 17.8W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 17.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok