Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC81T60SNCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC81T60SNCX7SA
SIGC81T60SNCX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60SNCX7SA1, 600V breakdown voltajına sahip NPT tipinde bir IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 100A collector akımı ve 300A pulse akımı ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 65ns ve 450ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve switched mode power supplies (SMPS) gibi yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. Yüzey montaj teknolojisine uyumlu yapısı, kompakt ve yüksek yoğunluklu tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 65ns/450ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok