Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC81T60SNCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC81T60SNCX1SA1
SIGC81T60SNCX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60SNCX1SA1, NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 100A maksimum kollektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Wafer format Die paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 65ns/450ns anahtarlama hızı ile verimli performans sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasına olanak tanır. Standard input tipi ile standart sürücü entegrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 65ns/450ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok