Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC81T60NCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC81T60NCX7SA2
SIGC81T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC81T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör diyot gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 100A maksimum kollektör akımı ve 300A pulsed akım kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde çalışır. Die paket formunda temin edilen bu komponent, düşük 2.5V on-state gerilimi (Vce) ile enerji verimliliği sağlar. 95ns açılış ve 200ns kapanış geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama özelliği vardır. Sürücü devreleri, invertörler, konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Komponentin üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 95ns/200ns |
| Test Condition | 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok