Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC81T60NCX1SA5
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC81T60NCX1SA
SIGC81T60NCX1SA5 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60NCX1SA5, 600V kolektör-emitter diyot gerilimi ile tasarlanmış NPT tipi bir IGBT transistördür. Die paketi olarak sunulan bu bileşen, maksimum 100A sabit ve 300A darbe kolektör akımını destekler. 2.5V'luk Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel invertörler gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 95ns/200ns turn-on/turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Teknik veriler 300V, 100A, 2.2Ohm yük ve 15V gate geriliminde ölçülmüştür. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 95ns/200ns |
| Test Condition | 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok