Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC81T60NCX1SA3
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC81T60NCX1SA3
SIGC81T60NCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC81T60NCX1SA3, 600V breakdown voltajında çalışan NPT tipi IGBT transistördür. 100A maksimum collector akımı ve 300A pulsed collector akımı kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die formunda sunulan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, motor sürücüler ve güç elektronik sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. Obsolete durumdaki bu komponentin yerine güncel alternatiflerin kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 95ns/200ns |
| Test Condition | 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok