Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC76T65R3EX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC76T65R3EX1SA1
SIGC76T65R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T65R3EX1SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayanan yüksek akım kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 650V durdurma gerilimi ve 150A sürekli kolektör akımı ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 450A darbe akımını kaldırabilir. 1.2V'luk düşük açılış gerilimi (Vce(on)) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 175°C) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Die (çip) formunda sunulan bu transistör, inverterler, şarj sistemleri ve endüstriyel güç kontrol devrelerinde kullanılır. Standard input tipi girişe sahip olan SIGC76T65R3EX1SA1, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.2V @ 15V, 45A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok