Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC76T60R3EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC76T60R3EX7SA1
SIGC76T60R3EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T60R3EX7SA1, Trench Field Stop teknolojisini kullanan yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 600V collector-emitter aralığında çalışabilen bu komponent, 150A nominal ve 450A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.9V Vce(on) değeri ile -40°C ile 175°C arasında güvenilir işlem sağlar. Die (çip) formatında sunulan bu ürün, endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüleri, inverterler ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Standard giriş tipi ile kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok