Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC76T60R3EX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC76T60R3EX1SA1
SIGC76T60R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC76T60R3EX1SA1, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 600V durdurma voltajına ve maksimum 150A sürekli akım kapasitesine sahip bu komponent, 450A'ya kadar pulse akımı işleyebilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1.9V ile düşük iletim kayıpları sağlar. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. Standard input tipi ile entegrasyon kolaylığı sunmakta olup, Active durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok